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    TEM云現(xiàn)場(chǎng)/現(xiàn)場(chǎng)

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    TEM云現(xiàn)場(chǎng)/現(xiàn)場(chǎng)

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    黃燕

    TEM測(cè)試工程師

    3年透射電鏡（TEM）測(cè)試及管理經(jīng)驗(yàn)。精通透射電子顯微技術(shù)，專(zhuān)長(zhǎng)于材料微結(jié)構(gòu)表征。

    項(xiàng)目介紹

    1. 主要用于無(wú)機(jī)材料（粉體）微結(jié)構(gòu)與微區(qū)組成的分析和研究，不適用于有機(jī)和生物材料；

    2. 表征范圍：微觀形貌、顆粒尺寸、微區(qū)組成、元素分布、晶體結(jié)構(gòu)、相組成、結(jié)構(gòu)缺陷、晶界結(jié)構(gòu)和組成等；

    3. 成像：衍襯像、高分辨像（HRTEM）、掃描透射像；

    4. 微區(qū)成分： EDS 能譜的點(diǎn)、線和面分析，電子選區(qū)衍射。

    樣品要求

    注意：TEM云現(xiàn)場(chǎng)/現(xiàn)場(chǎng)機(jī)時(shí)有限，下單前請(qǐng)先跟工作人員聯(lián)系，溝通拍攝要求并確認(rèn)預(yù)約時(shí)間后再下單！機(jī)時(shí)從抽真空開(kāi)始計(jì)時(shí)收費(fèi)，請(qǐng)悉知。

    1. 粉末5mg，液體0.5ml；不含易分解的有機(jī)物質(zhì)；不含有毒有害物質(zhì)；含有硫S單質(zhì)樣品，無(wú)法拍攝；若樣品容易變質(zhì)需要指明；液體請(qǐng)指明溶劑；

    2. 多數(shù)分子篩不穩(wěn)定，拍不出清晰的晶格條紋；碳點(diǎn)和量子點(diǎn)的樣品尺寸小，拍攝效果與樣品質(zhì)量關(guān)系非常大，請(qǐng)合理分析拍攝結(jié)果不符合預(yù)期的原因；

    3. 樣品拍攝圖片數(shù)量：TEM10張左右，HRTEM包含TEM共15張左右；

    4. 可接受非磁性和弱磁性樣品，弱磁樣品只接受粉末，方便判斷磁性的強(qiáng)弱。含鐵、鈷、鎳、錳、釕等磁性元素的樣品定義為磁性樣品；請(qǐng)仔細(xì)檢查樣品磁性，因隱瞞樣品信息導(dǎo)致儀器損壞的，需要您承擔(dān)全部賠償責(zé)任。

    項(xiàng)目案例

    高分辨HRTEM

    衍射SAED

    點(diǎn)掃EDS

    線掃EDS

    面掃M(jìn)apping

    面掃M(jìn)apping

    Chemical Engineering Journal., 417 (2021) 128189： Li2Ti1/3Ni1/3Mn1/3O2F and Li2Ti1/3Ni1/3Fe1/3O2F

    TEM, HRTEM, and SAED characterizations of FeF3·0.33H2O

    常見(jiàn)問(wèn)題
    1、拍攝TEM樣品，分辨效果不好有哪些原因？

    可能是樣品太厚，TEM樣品厚度大于100nm時(shí)，電子束不易穿透，導(dǎo)致效果不好；

    可能樣品穩(wěn)定性太差，拍攝高分辨的時(shí)候樣品易發(fā)生變化，導(dǎo)致拍攝只能以抓拍形式，清晰度會(huì)受影響，或者拍攝過(guò)程中樣品直接消失（例：拍攝由水熱法產(chǎn)生的碳的量子點(diǎn)，低倍時(shí)能看到量子點(diǎn)，在高倍拍攝晶格條紋時(shí)樣品在聚焦未完成時(shí)就消失了，在同一位置再調(diào)節(jié)到低倍拍攝，發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)消失）。

    2、 影響TEM成像的因素有哪些？

    主要有相位襯度（相位差引起）、振幅襯度（包括質(zhì)厚襯度、衍射襯度），一般測(cè)試中主要考慮質(zhì)厚襯度（質(zhì)量、厚度），其中厚度又是主要的因素。

    3、明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像成像的區(qū)別？

    明場(chǎng)像成像是將衍射束遮擋住，只讓透射束參與成像；暗場(chǎng)像成像是將透射束遮擋住，只讓一束較強(qiáng)的衍射束成像。由此可知，只有含有晶體類(lèi)物質(zhì)衍襯像，才存在明暗之分。

    4、為什么沒(méi)有N的樣品，能譜測(cè)試卻有很多N元素呢？

    在Mapping的測(cè)試中，C N O的分辨較差，在有氧的地方通常能掃出碳和氮，能譜下C N O三種元素不能很好的區(qū)分，會(huì)互相干擾，如果要進(jìn)行N的測(cè)試，最好不用能譜，用EELS（電子能量損失譜）較好。

    5、為什么Mapping測(cè)試看起來(lái)不清晰？

    可能是因?yàn)楹康停?/span>在Mapping測(cè)試中，清晰度跟信號(hào)強(qiáng)度有關(guān)，而信號(hào)強(qiáng)度就是元素的含量。

    6、Mapping中，為什么有些部位很亮？

    太亮是因?yàn)閄射線信號(hào)強(qiáng)，可能是樣品對(duì)電子散射能力強(qiáng)（重金屬元素常見(jiàn)），或者是樣品太厚（透射減少，反射增加）。

    7、EDS（EDX）與Mapping有什么區(qū)別？能譜中的K、L什么意思？

    EDS（EDX）與Mapping的本質(zhì)一樣，Mapping就是EDS以掃描形式在樣品表面逐點(diǎn)進(jìn)行。

    K L M是指測(cè)試時(shí)采用不同線系，一般采用K L，較輕的選K，較重的選L。

    8、為什么沒(méi)有DM3格式的圖片？

    現(xiàn)在FEI使用自己的CCD，沒(méi)有再用Gatan的CCD了，不能導(dǎo)出dm3文件，但是格式可以轉(zhuǎn)化。

    TEM云現(xiàn)場(chǎng)/現(xiàn)場(chǎng)

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