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    氬離子拋光（離子研磨CP）

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    氬離子拋光（離子研磨CP）

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    項目介紹

    氬離子拋光技術/離子研磨CP（Cross section Polisher）用于SEM、EPMA、EBSD等樣品的制備。

    依靠離子束轟擊制備樣品剖面，可以獲得表面平滑的樣品，觀察范圍大、清潔而且適用于幾乎所有材料，而不會對樣品造成機械損害。

    去除損傷層，從而得到高質量樣品。

    樣品要求

    1.送樣前需要對樣品進行預處理：樣品預磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙;

    2. 送測樣品的尺寸要求:塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨平）粉末樣品：10g以上;

    3. 樣品準備2-3片；

    4. 預約時認真填寫樣品信息以及測試目的，必要時上傳參考圖片或文件。

    項目案例
    常見問題
    1、何時需要用到氬離子拋光（離子研磨CP）?

    當你需要獲得一個無損傷、無假象、能真實反映材料原始結構的高質量平整截面（用于SEM/EBSD等觀察）時，得用CP。

    2、離子研磨 vs. FIB：如何選擇？

    CP：適合大面積、無損傷截面（如電池極片、LED芯片層析）。FIB：適合微區精準切割（如TEM ），但需后續CP去除鎵損傷層。

    氬離子拋光（離子研磨CP）

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