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    精華 | 鋰電研究必備,三元材料的XRD精修實(shí)例
    來(lái)源:鋰電前沿 時(shí)間:2020-08-05 01:00:01 瀏覽:5971次

    在XRD精修之前,一定要搞懂的8個(gè)基本問(wèn)題?

    1、Jade有哪兩種精修模式?各有什么特點(diǎn)和應(yīng)用?

    2、Jade的精修模塊用什么評(píng)價(jià)精修的好壞?

    3、如何讀入晶體結(jié)構(gòu)模型?如何精修晶體結(jié)構(gòu)?

    4、如何做約束?

    5、對(duì)于微量相有什么處理方法?

    6、對(duì)于非晶相有什么處理方法?

    7、做晶粒尺寸計(jì)算前要有什么準(zhǔn)備?

    8、做晶胞參數(shù)精修前要做什么準(zhǔn)備?


    1 Jade有兩種精修模式:結(jié)構(gòu)精修和全圖擬合。

    結(jié)構(gòu)精修:以物相的晶體結(jié)構(gòu)為模型進(jìn)行精修,是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的Rietveld精修程序??梢杂糜谟?jì)算晶胞參數(shù),物相定量和微結(jié)構(gòu)。而且可以修正晶體結(jié)構(gòu)。

    全圖擬合:以PDF卡片(衍射峰位置和衍射峰相對(duì)強(qiáng)度)為模型進(jìn)行精修,它僅是一個(gè)全圖擬合程序??梢杂糜谟?jì)算晶胞參數(shù),物相定量和微結(jié)構(gòu)。

    Jade 特色


    操作界面

    操作步驟示例

    例:對(duì)有一個(gè)Mn-O樣品,進(jìn)行Rietveld精修

    樣品中加入30%內(nèi)標(biāo)物質(zhì)Si。 

    Si在這里有兩個(gè)作用:

    作為晶胞參數(shù)精修的標(biāo)樣,校正儀器的測(cè)量誤差。 

    作為多相定量的內(nèi)標(biāo),計(jì)算各個(gè)相的含量。


    具體步驟如下:

    1 物相檢索,確定晶體結(jié)構(gòu)模型


    模型選擇為PDF卡片,稱(chēng)為“非結(jié)構(gòu)相”,模型選擇為晶體結(jié)構(gòu)(Cif文件),稱(chēng)為“結(jié)構(gòu)相”。Jade通過(guò)選擇“計(jì)算卡片”來(lái)讀入“結(jié)構(gòu)相”模型。


    2 進(jìn)入精修窗口


    選擇“Options | WPF Refine”命令,進(jìn)入全譜擬合窗口。圖中顯示4個(gè)物相被引入。



    3固定內(nèi)標(biāo)參數(shù),輸出參數(shù)初始值


    Si作為內(nèi)標(biāo)物質(zhì),首先就要固定住它的晶胞參數(shù)LC不被改變,同時(shí)設(shè)置作為定量分析的內(nèi)標(biāo),輸入其摻入量為30%。


    4計(jì)算理論譜,建立初始模型

    根據(jù)引入的晶體結(jié)構(gòu)計(jì)算出一個(gè)“計(jì)算譜”,同時(shí)顯示計(jì)算譜和實(shí)測(cè)譜之間的差異(方差)

    圖中白色的譜圖為實(shí)測(cè)譜,紅色的譜圖為計(jì)算譜,在窗口的上端顯示兩者的差異R。


    5“全局參數(shù)”精修

    全局參數(shù)包括:背景線(BG),樣品位移(SD),儀器零點(diǎn)(Z0)等,分別在這些項(xiàng)目前的勾選框中加入對(duì)號(hào),并按下“Refine”按鈕,即逐步加入新的精修參數(shù),逐步精修。

    軟件智能:軟件根據(jù)實(shí)驗(yàn)譜給需要精修的參量都賦了“初始值”。所謂精修,就是在這些初始值的基礎(chǔ)上修正各個(gè)參量??梢蕴砑?、減少需要精修的參量。也可以手動(dòng)賦初始值。

    6“相參數(shù)”精修

    選擇“Phase”頁(yè),下“Refine”命令按鈕,進(jìn)行“相參數(shù)”的顯示與精修。


    基本相參數(shù)包括:

    1、晶胞常數(shù)(LC):晶胞大小、密度和形狀。

    2、標(biāo)度因子(SF):多相體系中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。

    3、峰寬函數(shù)(f0,f1,f2),峰形參數(shù)(p0,p1),歪斜因子(s0,s1):微觀應(yīng)力和晶粒尺寸

    4、溫度因子(TS):原子振動(dòng)。

    5、峰形函數(shù)(PearsonVII,PV,Gau):衍射強(qiáng)度計(jì)算,微觀應(yīng)力與晶粒尺寸。

    6、單獨(dú)強(qiáng)度修正(I%)或擇尤取向(O1,O2):織構(gòu)。

    7、限制峰寬:微結(jié)構(gòu)(晶粒尺寸、微觀應(yīng)力、晶粒形狀)。

    這些參數(shù)根據(jù)選擇不同,有些參數(shù)受限不能修正。對(duì)于結(jié)構(gòu)相,還可以修正結(jié)構(gòu)參數(shù)(原子位置等)。

    如果樣品中存在多個(gè)物相,則必須針對(duì)每一個(gè)物相都做這些精修。

    并不一定每個(gè)參數(shù)都要修正,重要的參數(shù)才需要精修。并不一定每個(gè)物相都要精修,應(yīng)當(dāng)先精修主要的或重要的物相。


    7“晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)”精修



    1、對(duì)于結(jié)構(gòu)相,按下進(jìn)入到晶體結(jié)構(gòu)修正窗口。

    2、在這里可以修正各個(gè)原子的位置(x,y,z),占位率(n)和與結(jié)構(gòu)因子相關(guān)的B或U因子。

    3、按下“All”,則表示修正該結(jié)構(gòu)中所有允許修正的因子。

    4、或者按類(lèi)選擇或手動(dòng)選擇只修正其中的某些因子。

    顯示精修狀態(tài)


    9.觀察R


    單擊“Display”選項(xiàng)卡,并選擇顯示“R%”,可顯示精修過(guò)程中R值的變化(即殘差M),圖中E是精修收斂目標(biāo)。

    精修過(guò)程中應(yīng)當(dāng)時(shí)刻關(guān)注R值的變化,如果某個(gè)參數(shù)精修后使R值增大,應(yīng)當(dāng)放棄這個(gè)參數(shù)的精修。


    10.觀察Wt



    單擊“Display”選項(xiàng)卡,并選擇顯示“R%”,可顯示精修過(guò)程中R值的變化(即殘差M),圖中E是精修收斂目標(biāo)。

    精修過(guò)程中應(yīng)當(dāng)時(shí)刻關(guān)注R值的變化,如果某個(gè)參數(shù)精修后使R值增大,應(yīng)當(dāng)放棄這個(gè)參數(shù)的精修


    11.觀察Size


    單擊“Display”選項(xiàng)卡,并選擇顯示“R%”,可顯示精修過(guò)程中R值的變化(即殘差M),圖中E是精修收斂目標(biāo)。

    精修過(guò)程中應(yīng)當(dāng)時(shí)刻關(guān)注R值的變化,如果某個(gè)參數(shù)精修后使R值增大,應(yīng)當(dāng)放棄這個(gè)參數(shù)的精修。

    12.結(jié)果輸出


    單擊“Report”,可以將精修結(jié)果輸出到一個(gè)擴(kuò)展名為“.rrp”的文件中,這個(gè)文件可以用記事本軟件打開(kāi);

    也可以單擊“Print”,根據(jù)需要將精修結(jié)果打印出來(lái)。


     整個(gè)過(guò)程可以總結(jié)為


    例1:內(nèi)標(biāo)法精修晶胞參數(shù)

    在電池正極材料中加入Si作為內(nèi)標(biāo),修正材料的晶胞參數(shù)。

    內(nèi)標(biāo)法精修時(shí),固定內(nèi)標(biāo)物質(zhì)Si的晶胞參數(shù)不變,以Si的晶胞參數(shù)修正儀器的誤差。

    晶胞參數(shù)精修的方法總結(jié)

    1、將標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)加入待測(cè)樣品中,固定住標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的晶胞參數(shù),以此為內(nèi)標(biāo),校正儀器的零點(diǎn)和樣品位移誤差。

    2、在精修前,先測(cè)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的角度校正曲線,此時(shí)可校正儀器零點(diǎn)。樣品位移成為直接精修的變量。

    3、如果不用標(biāo)準(zhǔn)樣品校正儀器零點(diǎn)和樣品位移,則二者成為精修變量。

    4、晶胞參數(shù)是一個(gè)可以直接精修的變量。從操作界面直接觀察到結(jié)果。以初始的晶體結(jié)構(gòu)為模型,原子位置(x,y,z),固溶體中的原子占位(n),包含溫度因子在內(nèi)的結(jié)構(gòu)因子(B)是可以直接精修的變量。這些參數(shù)會(huì)影響晶胞參數(shù)。

    例: Li-Mn-Co-Ni-O三元電池正極材料的晶體結(jié)構(gòu)精修

    粉末衍射經(jīng)常做的一種精修是:無(wú)法找到實(shí)測(cè)物相的晶體結(jié)構(gòu)模型。但有相近的模型可以借用。通過(guò)修改模型,可以得到實(shí)測(cè)物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)。


    例:Li-Mn-Co-Ni-O三元電池正極材料是沒(méi)有PDF卡片或者CSD卡片的。但有結(jié)構(gòu)相近的LiCoO2的晶體結(jié)構(gòu)模型。


    通過(guò)FindIt軟件保存好LiCoO2的CIF模型;讀入Jade,進(jìn)行晶胞參數(shù)調(diào)整,基本吻合晶胞參數(shù);


    修改原子參數(shù),保存成新的CIF模型;讀入新模型進(jìn)行占位率精修。

    晶體結(jié)構(gòu)精修的方法總結(jié)


    晶體結(jié)構(gòu)精修,經(jīng)常涉及原子位置、各向同性因子、位置占有率的精修。這些在精修界面直接約束。


    在這個(gè)例子中,Ni2+與Li占有相同的位置。將Ni2+的各向同性因子約束與Li的相同。占有率為1-n1。


    Ni3+與Co,Mn占有相同的位置。將Co,Mn的各向同性因子約束與Ni3+的相同。精修Ni,Co的占有率。


    精修Ni,Co的占有率。Mn的占位率為1-n3-n4。

    小結(jié)

    1、應(yīng)當(dāng)先修主要相,次要相可以在最后稍做精修;

    2、在精修過(guò)程中可以隨時(shí)加入要精修的相;

    3、可以用鼠標(biāo)拖入CIF結(jié)構(gòu)模型,也可以直接使用PDF卡片,但只有計(jì)算卡片或CIF模型才可以做晶體結(jié)構(gòu)精修;

    4、暫時(shí)不被精修的相應(yīng)當(dāng)固定住(N);

    5、精修時(shí)發(fā)現(xiàn)不存在的相應(yīng)當(dāng)排除(E);

    6、微量相的衍射線最容易自動(dòng)移動(dòng)其它物相的峰下面,占用其它物相的衍射強(qiáng)度,造成微量相的含量急劇升高的假象;

    7、根據(jù)衍射峰位移動(dòng)的正確性來(lái)判斷精修結(jié)果的正確性,避免假收斂。

    8、Rietveld方法的收斂和結(jié)果的精確度依賴數(shù)據(jù)的測(cè)量精度。定量分析-晶胞參數(shù)-原子摻雜占位的測(cè)量時(shí)間分別為0.5-1-8h。

    9、要有寬的掃描速度,對(duì)于結(jié)構(gòu)精修,需要測(cè)到130°以上



    轉(zhuǎn)載自:鋰電前沿

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    文字是人類(lèi)用符號(hào)記錄表達(dá)信息以傳之久遠(yuǎn)的方式和工具?,F(xiàn)代文字大多是記錄語(yǔ)言的工具。人類(lèi)往往先有口頭的語(yǔ)言后產(chǎn)生書(shū)面文字,很多小語(yǔ)種,有語(yǔ)言但沒(méi)有文字。文字的不同體現(xiàn)了國(guó)家和民族的書(shū)面表達(dá)的方式和思維不同。文字使人類(lèi)進(jìn)入有歷史記錄的文明社會(huì)。
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