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    半導體禁帶寬度測定：熒光光譜PL
    來源： 時間：2024-08-26 11:30:46 瀏覽：2747次

    半導體禁帶寬度測定：熒光光譜PL

     

    半導體禁帶寬度（Band Gap）的測定對于理解和優化半導體材料的電子性能至關重要；熒光法是一種常用的技術，用于測量半導體的禁帶寬度。

    一、原理

    熒光法，也稱為光致發光光譜法，是基于半導體材料在吸收光子后，電子從價帶躍遷到導帶，隨后在返回價帶時釋放光子的現象；禁帶寬度是指導帶底部與價帶頂部之間的能量差，這個能量差決定了材料的光電特性，通過測量發射光的波長，可以計算出半導體的禁帶寬度。

    二、應用步驟

    1. 樣品準備：首先需要制備高質量的半導體樣品，確保表面光滑，無污染，以便于準確測量。

    2. 激發光源：使用適當的激發光源，如激光或汞燈，來激發樣品；光源的波長應小于半導體材料的禁帶寬度，以確保電子能夠被激發到導帶。

    3. 光致發光光譜采集：在激發光源照射下，樣品會發出熒光；使用光譜儀收集發射光的強度與波長的關系。

    4. 數據處理：通過分析光譜數據，可以確定熒光峰的位置，即發射光的波長；然后，利用以下公式計算禁帶寬度：

       \( E_g = \frac{hc}{\lambda} \)

       其中，\( E_g \) 是禁帶寬度，\( h \) 是普朗克常數，\( c \) 是光速，\( \lambda \) 是發射光的波長。

    三、優勢

    1. 非破壞性：熒光法不會對樣品造成物理損傷，可以重復測量。

    2. 高靈敏度：能夠檢測到微弱的發光信號，適用于低濃度樣品的測定。

    3. 快速簡便：操作簡單，數據處理速度快。

    四、應用實例

    GaAs是一種重要的半導體材料，廣泛應用于光電子和高速電子器件；通過熒光法測定GaAs的禁帶寬度，可以優化其在這些領域的應用。

    1. 樣品準備：將GaAs樣品切割成適當大小，并進行表面拋光處理。

    2. 激發光源：使用波長為532nm的激光器作為激發光源。

    3. 光譜采集：在激光照射下，使用光譜儀記錄GaAs樣品的發射光譜。

    4. 數據處理：通過光譜圖找到熒光峰的位置，計算得到GaAs的禁帶寬度約為1.42 eV。

    五、注意事項

    1. 溫度影響：測量過程中，溫度的變化會影響發光強度和波長，因此需要控制實驗溫度。

    2. 儀器校準：確保光譜儀等儀器的準確校準，以減少測量誤差。

     

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    12條評論
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    全部 3小時前 四川
    文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具。現代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產生書面文字，很多小語種，有語言但沒有文字。文字的不同體現了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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