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    等離子體聚焦離子束顯微鏡（PFIB）

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    等離子體聚焦離子束顯微鏡（PFIB）

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    黃歡

    TEM測(cè)試工程師

    3年透射電鏡（TEM）測(cè)試工作經(jīng)驗(yàn)。專長(zhǎng)于常規(guī)材料的形貌分析，具備深入觀察材料微觀結(jié)構(gòu)的能力。

    項(xiàng)目介紹

    等離子體聚焦離子束（PFIB）使用Xe氙作為離子源，Xe源電流2500nA，在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實(shí)時(shí)成像，用于1000微米以內(nèi)大尺寸切片，芯片局部去層可配合Nano Probe由于其離子電流比Ga高38倍，適用于SEM定位大尺寸的切割，芯片熱點(diǎn)位置可進(jìn)行定點(diǎn)去層，大尺寸樣品可以邊切邊觀察，便于分析測(cè)試，配合Nano Probe、CAFM、EBSD制備，可以解決客戶3D防撞TSV定點(diǎn)截面分析、MEMS結(jié)構(gòu)無(wú)形截面分析、光芯片光路截面分析、失效孤品去層分析的需求。

    樣品要求

    1. 粉末樣品：樣品尺寸至少為5μm以上，且無(wú)磁性；

    2. 薄膜/塊體樣品：最大尺寸不超過2cm，高度不超過3mm，可以有磁性，但強(qiáng)磁樣品應(yīng)盡可能減小尺寸；

    3. 在送樣前，請(qǐng)通過掃描電子顯微鏡（SEM）確認(rèn)樣品滿足PFIB制樣的要求；

    4. 按照樣品個(gè)數(shù)計(jì)費(fèi)，加工成品大小一般不超過長(zhǎng)度 5μm*深度 5μm；如果樣品需要加工更大尺寸，請(qǐng)?jiān)谙聠吻奥?lián)系技術(shù)經(jīng)理進(jìn)行評(píng)估和議價(jià)；

    5. 樣品應(yīng)具有良好的導(dǎo)電性，如果導(dǎo)電性比較差，需要進(jìn)行噴金或噴碳處理。

    項(xiàng)目案例
    常見問題
    1、FIB可以做什么？

    （1）FIB-SEM：FIB制備微納米級(jí)樣品截面，進(jìn)行SEM和能譜測(cè)試。感興趣區(qū)域尺度要求200nm-30μm，通常切樣面寬度不超過10μm。

    （2）FIB-TEM：FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括：薄膜、塊體樣品，微米級(jí)顆粒。樣品種類：陶瓷、金屬等。

    2、FIB制樣可能引入的雜質(zhì)？

    W、C、Pt和Ga，其中W、C和Pt是為了保護(hù)減薄區(qū)域，Ga是離子源。如果樣品不導(dǎo)電可能噴Au或者噴Pt，從而引入這兩種元素。

    3、FIB樣品為什么需要導(dǎo)電？

    樣品是在SEM電鏡下進(jìn)行操作，需要清晰地觀察到樣品的形貌，否則無(wú)法精準(zhǔn)制樣。

    4、FIB-TEM的制樣流程是 ?

    (1）找到目標(biāo)位置（定位非常重要），表面噴Pt、W或C進(jìn)行保護(hù)目標(biāo)區(qū)域； 

    (2）將目標(biāo)位置前后兩側(cè)的樣品挖空，剩下目標(biāo)區(qū)域后進(jìn)行U-cut；

    (3）通過納米機(jī)械手將這個(gè)薄片取出，將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上；

    (4）減薄到理想厚度后停止。

    等離子體聚焦離子束顯微鏡（PFIB）

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