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    動態(tài)二次離子質譜儀（D-SIMS）

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    動態(tài)二次離子質譜儀（D-SIMS）

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    項目介紹

    動態(tài)二次離子質譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來，用質量分析器接收濺射出的二次離子，通過分析其質荷比(m/z)得到的二次離子質譜。

    相比TOF-SIMS，D-SIMS有更強的深度分析能力，分析深度能達到5~10μm，且剖析過程中可以連續(xù)測試元素信息；深度分辨率和檢出限比TOF高很多，分析面積100、200、300μm見方居多，面積越大濺射速率越慢。

    樣品要求

    樣品要求：以固態(tài)薄層、表面平整材料為主，比如襯底或者薄膜；粉末、已封裝或者有結構之類的特殊樣品需要進行適當制備；

    1. 尺寸要求：5~10mm之間，厚度不超過1mm，真空保存，標記清楚測試面；

    2. 分析面積100、200、300μm見方居多，面積越大濺射速率越慢；

    3. 分析深度一般在5μm之內，但不超過10μm；

    4. 部分樣品可以定量分析（比如：常見的硅中各種摻雜B、P、As等，各類化合物半導體及其多層結構等），取決于是否有合適的標準樣品。

    項目案例

    D-SIMS原位測試

    網格硅的SIMS圖譜和Mapping成像

    動態(tài)二次離子質譜儀（D-SIMS）

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