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塞貝克系數與電阻率測試系統(tǒng)

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項目介紹

塞貝克效應（Seebeck effect）又稱作第一熱電效應，是指由于兩種不同電導體或半導體的溫度差異而引起兩種物質間的電壓差的熱電現象。一般規(guī)定熱電勢方向為：在熱端電子由負流向正。

原理：

半導體效應

產生Seebeck效應的主要原因是熱端的載流子往冷端擴散的結果。例如p型半導體，由于其熱端空穴的濃度較高，則空穴便從高溫端向低溫端擴散；在開路情況下，就在p型半導體的兩端形成空間電荷（熱端有負電荷，冷端有正電荷），同時在半導體內部出現電場；當擴散作用與電場的漂移作用相互抵消時，即達到穩(wěn)定狀態(tài)，在半導體的兩端就出現了由于溫度梯度所引起的電動勢——溫差電動勢。自然，n型半導體的溫差電動勢的方向是從低溫端指向高溫端（Seebeck系數為負），相反，p型半導體的溫差電動勢的方向是高溫端指向低溫端（Seebeck系數為正），因此利用溫差電動勢的方向即可判斷半導體的導電類型。

金屬效應

①電子從熱端向冷端的擴散。然而這里的擴散不是濃度梯度（因為金屬中的電子濃度與溫度無關）所引起的，而是熱端的電子具有更高的能量和速度所造成的。顯然，如果這種作用是主要的，則這樣產生的Seebeck效應的系數應該為負。

②電子自由程的影響。因為金屬中雖然存在許多自由電子，但對導電有貢獻的卻主要是Fermi能級附近2kT范圍內的所謂傳導電子。而這些電子的平均自由程與遭受散射（聲子散射、雜質和缺陷散射）的狀況和能態(tài)密度隨能量的變化情況有關。

樣品要求

1. 薄膜：4mm(可略大一點)*12mm（要盡量在12mm左右）；
2. 塊狀：長和寬不超過2-4mm，高不小于8mm；

3. 升溫過程中樣品穩(wěn)定，不能釋放出氣體，不能有較明顯的體積膨脹，測試是探針接觸，以免損壞儀器。

項目案例