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    微波光電導(dǎo)衰減壽命測試儀

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    微波光電導(dǎo)衰減壽命測試儀

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    項(xiàng)目介紹

    mPCD用來測試硅片的有效少子壽命; cPCD用來測試樣品的體少子壽命。

    微波光電導(dǎo)衰退法Microwave photoconductivity decay)測試少子壽命，主要包括激光注入產(chǎn)生電子-空穴對(duì)和微波探測信號(hào)的變化這兩個(gè)過程。

    904mm 的激光注入(對(duì)于硅，注入深度大約為30um )產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當(dāng)撤去外界光注入時(shí)，電導(dǎo)率隨時(shí)間指數(shù)衰減，

    這一趨勢間接反映少數(shù)載流子的衰減趨勢，從而通過微波探測電導(dǎo)率隨時(shí)間變化的趨勢就可以得到少數(shù)載流子的壽命。



    樣品要求

    （1）mPCD所能測試的樣品，從 8英寸到一般切割的小樣品(1cm×1cm）都可以。一般機(jī)械拋光，化學(xué)拋光或研磨面的樣品都可以測試，但樣品必須是輕摻，重?fù)剑娮杪市∮?.1Ωcm）和重?fù)揭r底的外延片都不行。

    （2）CPCD所能測試的樣品限于3，4，6，8英寸。一般硅片表面要形成自然氧化層或生長一層帶電荷的薄膜。

    項(xiàng)目案例
    常見問題
    1、測試周期？

    一般到樣3-5個(gè)工作日

    微波光電導(dǎo)衰減壽命測試儀

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